WD4000系列半導體晶圓大翹曲wafer測量設備自動測量 Wafer 厚度、表面粗糙度,、三維形貌,、單層膜厚、多層膜厚,。兼容不同材質不同粗糙度,、可測量大翹曲wafer、測量晶圓雙面數(shù)據(jù)更準確,。

WD4000晶圓測量設備使用光譜共焦對射技術測量晶圓 Thickness,、TTV、LTV,、BOW,、WARP、TIR,、SORI 等參數(shù),，同時生成 Mapping 圖,；

采用白光干涉測量技術對 Wafer 表面進行非接觸式掃描同時建立表面 3D 層析圖像，顯示 2D 剖面圖和 3D 立體彩色視圖,，高效分析表面形貌,、粗糙度及相關 3D 參數(shù)；

基于白光干涉圖的光譜分析儀,，通過數(shù)值七點相移算法計算,，達到亞納米分辨率測量表面的局部高度，實現(xiàn)膜厚測量功能,；

紅外傳感器發(fā)出的探測光在 Wafer 不同表面反射并形成干涉,，由此計算出兩表面間的距離（即厚度），可適用于測量 Bonding Wafer 的多層厚度,。

該傳感器可用于測量不同材料的厚度,，包括碳化硅、藍寶石,、氮化鎵,、硅等。

WD4000系列半導體晶圓大翹曲wafer測量設備通過非接觸測量,，將晶圓的三維形貌進行重建,，強大的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度，TTV,、BOW、WARP,、在高效測量測同時有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷,。它可實現(xiàn)砷化鎵、氮化鎵,、磷化鎵,、鍺、磷化銦,、鈮酸鋰,、藍寶石、硅,、碳化硅,、玻璃不同材質晶圓的量測。

測量功能

1,、厚度測量模塊：厚度,、TTV(總體厚度變化)、LTV,、BOW,、WARP,、TIR、SORI,、平面度,、等；

2,、顯微形貌測量模塊：粗糙度,、平整度、微觀幾何輪廓,、面積,、體積等。

3,、提供調整位置,、糾正、濾波,、提取四大模塊的數(shù)據(jù)處理功能,。其中調整位置包括圖像校平、鏡像等功能,；糾正包括空間濾波,、修描、尖峰去噪等功能,；濾波包括去除外形,、標準濾波、過濾頻譜等功能,；提取包括提取區(qū)域和提取剖面等功能,。

4、提供幾何輪廓分析,、粗糙度分析,、結構分析、頻率分析,、功能分析等五大分析功能,。幾何輪廓分析包括臺階高、距離,、角度,、曲率等特征測量和直線度、圓度形位公差評定等,；粗糙度分析包括國際標準ISO4287的線粗糙度,、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全參數(shù),；結構分析包括孔洞體積和波谷,。

產(chǎn)品優(yōu)勢

1,、非接觸厚度、三維維納形貌一體測量

集成厚度測量模組和三維形貌,、粗糙度測量模組,，使用一臺機器便可完成厚度、TTV,、LTV,、BOW、WARP,、粗糙度,、及三維形貌的測量。

2,、高精度厚度測量技術

（1）采用高分辨率光譜共焦對射技術對Wafer進行高效掃描,。

（2）搭配多自由度的靜電放電涂層真空吸盤，晶圓規(guī)格可支持至12寸,。

（3）采用Mapping跟隨技術,，可編程包含多點、線,、面的自動測量,。

3、高精度三維形貌測量技術

（1）采用光學白光干涉技術,、精密Z向掃描模塊和高精度3D重建算法,，Z向分辨率高可到0.1nm；

（2）隔振設計降低地面振動和空氣聲波振動噪聲,，獲得高測量重復性,。

（3）機器視覺技術檢測圖像Mark點，虛擬夾具擺正樣品,，可對多點形貌進行自動化連續(xù)測量。

4,、大行程高速龍門結構平臺

（1）大行程龍門結構(400x400x75mm),，移動速度500mm/s。

（2）高精度花崗巖基座和橫梁,，整體結構穩(wěn)定,、可靠。

（3）關鍵運動機構采用高精度直線導軌導引,、AC伺服直驅電機驅動,，搭配分辨率0.1μm的光柵系統(tǒng)，保證設備的高精度,、高效率,。

5,、操作簡單、輕松無憂

（1）集成XYZ三個方向位移調整功能的操縱手柄,，可快速完成載物臺平移,、Z向聚焦等測量前準工作。

（2）具備雙重防撞設計,，避免誤操作導致的物鏡與待測物因碰撞而發(fā)生的損壞情況,。

（3）具備電動物鏡切換功能，讓觀察變得快速和簡單,。

部分技術規(guī)格

懇請注意：因市場發(fā)展和產(chǎn)品開發(fā)的需要，本產(chǎn)品資料中有關內(nèi)容可能會根據(jù)實際情況隨時更新或修改,，恕不另行通知,，不便之處敬請諒解。