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深圳市中圖儀器股份有限公司

PRODUCT DISPLAY

當前位置:深圳市中圖儀器股份有限公司>>半導體專業(yè)檢測設備>>晶圓形貌測量系統(tǒng)>> WD4000系列半導體晶圓大翹曲wafer測量設備

半導體晶圓大翹曲wafer測量設備

參  考  價: 3000000

訂  貨  量: ≥1 臺

具體成交價以合同協(xié)議為準

產(chǎn)品型號:WD4000系列

品       牌:CHOTEST/中圖儀器

廠商性質:生產(chǎn)商

所  在  地:深圳市

更新時間:2024-08-19 09:53:01瀏覽次數(shù):772次

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WD4000系列半導體晶圓大翹曲wafer測量設備通過非接觸測量,,將晶圓的三維形貌進行重建,,強大的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度,,TTV,、BOW、WARP,、在高效測量測同時有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷,。

WD4000系列半導體晶圓大翹曲wafer測量設備自動測量 Wafer 厚度、表面粗糙度,、三維形貌,、單層膜厚、多層膜厚,。兼容不同材質不同粗糙度,、可測量大翹曲wafer、測量晶圓雙面數(shù)據(jù)更準確,。

半導體晶圓大翹曲wafer測量設備

WD4000晶圓測量設備使用光譜共焦對射技術測量晶圓 Thickness,、TTV、LTV,、BOW,、WARP、TIR,、SORI 等參數(shù),,同時生成 Mapping 圖,;

采用白光干涉測量技術對 Wafer 表面進行非接觸式掃描同時建立表面 3D 層析圖像,顯示 2D 剖面圖和 3D 立體彩色視圖,,高效分析表面形貌,、粗糙度及相關 3D 參數(shù);

基于白光干涉圖的光譜分析儀,,通過數(shù)值七點相移算法計算,,達到亞納米分辨率測量表面的局部高度,實現(xiàn)膜厚測量功能,;

紅外傳感器發(fā)出的探測光在 Wafer 不同表面反射并形成干涉,,由此計算出兩表面間的距離(即厚度),可適用于測量 Bonding Wafer 的多層厚度,。

該傳感器可用于測量不同材料的厚度,,包括碳化硅、藍寶石,、氮化鎵,、硅等。

半導體晶圓大翹曲wafer測量設備

WD4000系列半導體晶圓大翹曲wafer測量設備通過非接觸測量,,將晶圓的三維形貌進行重建,,強大的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度,TTV,、BOW、WARP,、在高效測量測同時有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷,。它可實現(xiàn)砷化鎵、氮化鎵,、磷化鎵,、鍺、磷化銦,、鈮酸鋰,、藍寶石、硅,、碳化硅,、玻璃不同材質晶圓的量測。


測量功能

1,、厚度測量模塊:厚度,、TTV(總體厚度變化)、LTV,、BOW,、WARP,、TIR、SORI,、平面度,、等;

2,、顯微形貌測量模塊:粗糙度,、平整度、微觀幾何輪廓,、面積,、體積等。

3,、提供調整位置,、糾正、濾波,、提取四大模塊的數(shù)據(jù)處理功能,。其中調整位置包括圖像校平、鏡像等功能,;糾正包括空間濾波,、修描、尖峰去噪等功能,;濾波包括去除外形,、標準濾波、過濾頻譜等功能,;提取包括提取區(qū)域和提取剖面等功能,。

4、提供幾何輪廓分析,、粗糙度分析,、結構分析、頻率分析,、功能分析等五大分析功能,。幾何輪廓分析包括臺階高、距離,、角度,、曲率等特征測量和直線度、圓度形位公差評定等,;粗糙度分析包括國際標準ISO4287的線粗糙度,、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全參數(shù),;結構分析包括孔洞體積和波谷,。


產(chǎn)品優(yōu)勢

1,、非接觸厚度、三維維納形貌一體測量

集成厚度測量模組和三維形貌,、粗糙度測量模組,,使用一臺機器便可完成厚度、TTV,、LTV,、BOW、WARP,、粗糙度,、及三維形貌的測量。

2,、高精度厚度測量技術

(1)采用高分辨率光譜共焦對射技術對Wafer進行高效掃描,。

(2)搭配多自由度的靜電放電涂層真空吸盤,晶圓規(guī)格可支持至12寸,。

(3)采用Mapping跟隨技術,,可編程包含多點、線,、面的自動測量,。

3、高精度三維形貌測量技術

(1)采用光學白光干涉技術,、精密Z向掃描模塊和高精度3D重建算法,,Z向分辨率高可到0.1nm;

(2)隔振設計降低地面振動和空氣聲波振動噪聲,,獲得高測量重復性,。

(3)機器視覺技術檢測圖像Mark點,虛擬夾具擺正樣品,,可對多點形貌進行自動化連續(xù)測量。

4,、大行程高速龍門結構平臺

(1)大行程龍門結構(400x400x75mm),,移動速度500mm/s。

(2)高精度花崗巖基座和橫梁,,整體結構穩(wěn)定,、可靠。

(3)關鍵運動機構采用高精度直線導軌導引,、AC伺服直驅電機驅動,,搭配分辨率0.1μm的光柵系統(tǒng),保證設備的高精度,、高效率,。

5,、操作簡單、輕松無憂

(1)集成XYZ三個方向位移調整功能的操縱手柄,,可快速完成載物臺平移,、Z向聚焦等測量前準工作。

(2)具備雙重防撞設計,,避免誤操作導致的物鏡與待測物因碰撞而發(fā)生的損壞情況,。

(3)具備電動物鏡切換功能,讓觀察變得快速和簡單,。

半導體晶圓大翹曲wafer測量設備


部分技術規(guī)格

品牌CHOTEST中圖儀器
型號WD4000系列
測量參數(shù)厚度,、TTV(總體厚度變化)、BOW,、WARP,、LTV、粗糙度等
可測材料砷化鎵,、氮化鎵,、磷化鎵、鍺,、磷化銦,、 鈮酸鋰、藍寶石,、硅,、碳化硅、氮化鎵,、玻璃,、外延材料等
厚度和翹曲度測量系統(tǒng)
可測材料砷化鎵 ;氮化鎵 ;磷化 鎵;鍺;磷化銦;鈮酸鋰;藍寶石;硅 ;碳化硅 ;玻璃等
測量范圍150μm~2000μm
掃描方式Fullmap面掃、米字,、自由多點
測量參數(shù)厚度,、TTV(總體厚度變 化)、LTV,、BOW,、WARP、平面度,、線粗糙度
三維顯微形貌測量系統(tǒng)
測量原理白光干涉
干涉物鏡10X(2.5X,、5X、20X,、50X,可選多個)
可測樣品反射率0.05%~100
粗糙度RMS重復性0.005nm
測量參數(shù)顯微形貌 ,、線/面粗糙度、空間頻率等三大類300余種參數(shù)
膜厚測量系統(tǒng)
測量范圍90um(n= 1.5)
景深1200um
最小可測厚度0.4um
紅外干涉測量系統(tǒng)
光源SLED
測量范圍37-1850um
晶圓尺寸4"、6",、8",、12"
晶圓載臺防靜電鏤空真空吸盤載臺
X/Y/Z工作臺行程400mm/400mm/75mm

請注意:因市場發(fā)展和產(chǎn)品開發(fā)的需要,本產(chǎn)品資料中有關內(nèi)容可能會根據(jù)實際情況隨時更新或修改,,恕不另行通知,,不便之處敬請諒解。

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